| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI1058X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC89 | 0 | 3,000:$0.17050 |
| SI7880ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$1.27575 |
| SI7856ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$1.27575 |
| SI3457BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP | 0 | 3,000:$0.15655 |
| SI2335DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 | 0 | 3,000:$0.14880 |
| SI3442CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP | 75 | 1:$0.50000 25:$0.34640 100:$0.29700 250:$0.25652 500:$0.22050 1,000:$0.17100 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | - |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 91 毫歐 @ 1.3A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 1.55V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 5.9nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 380pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 236mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | SOT-563，SOT-666 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | SC-89-6 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |