| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L | 0 | 3,000:$0.20150 6,000:$0.18850 15,000:$0.17550 30,000:$0.16575 75,000:$0.16250 150,000:$0.15600 |
| SIB455EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 12V SC-75-6 | 240 | 1:$0.68000 25:$0.47760 100:$0.40920 250:$0.35340 500:$0.30380 1,000:$0.23560 |
| SIB455EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 12V SC-75-6 | 0 | 3,000:$0.19220 6,000:$0.17980 15,000:$0.16740 30,000:$0.15810 75,000:$0.15500 150,000:$0.14880 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 12A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 15 毫歐 @ 12.4A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 35nC @ 8V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1380pF @ 1V |
| 功率 - 最大: | 19.2W |
| 安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? SC-70-6 單 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |