分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI7390DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI7390DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI7390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.16100
SIHU3N50D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK 50 1:$0.98000
25:$0.77760
100:$0.69980
250:$0.60912
500:$0.54432
1,000:$0.42768
SI7390DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 9.5 毫歐 @ 15A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 帶卷 (TR)