| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIHB30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 1,000 | 1:$6.10000 25:$4.90520 100:$4.46900 250:$4.03300 500:$3.61880 1,000:$3.05200 2,500:$2.89940 5,000:$2.77950 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 29A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 125 毫歐 @ 15A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2600pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 250W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | D²PAK |
| 包裝: | 管件 |