分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BVSS123LT1G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BVSS123LT1G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BVSS123LT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 0 12,000:$0.04811
NVR4003NT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V SOT-23-3 0 20,000:$0.04250
BVSS123LT1G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 170mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 歐姆 @ 100mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): *
閘電荷(Qg) @ Vgs: -
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 20pF @ 25V
功率 - 最大: 225mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3
包裝: 帶卷 (TR)