分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB80N04S4-04品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPB80N04S4-04 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPB80N04S4-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 0 1,000:$0.57420
BSC024NE2LS Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8 0 1:$1.63000
10:$1.45900
25:$1.28720
100:$1.15830
250:$1.00816
500:$0.90090
1,000:$0.70785
2,500:$0.66495
IPB80N04S4-04 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.2 毫歐 @ 80A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 35µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 25V
功率 - 最大: 71W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-3-2
包裝: 帶卷 (TR)