分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 TK100E08N1,S1X品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

TK100E08N1,S1X • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
TK100E08N1,S1X Toshiba MOSFET N CH 80V 214A TO220 0 1:$5.60000
10:$5.00000
25:$4.50000
100:$4.10000
250:$3.70000
500:$3.32000
1,000:$2.80000
2,500:$2.66000
5,000:$2.55000
TK100E08N1,S1X • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 80V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 214A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 毫歐 @ 50A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA，10V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 9000pF @ 40V
功率 - 最大: 255W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220
包裝: 管件