分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD50R950CE品牌、價格、PDF參數(shù)

IPD50R950CE • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPD50R950CE Infineon Technologies MOSF 500V 4.3A PG-TO252 0 2,500:$0.50540
5,000:$0.48013
12,500:$0.46028
25,000:$0.44764
62,500:$0.43320
BSP129 L6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 0 2,000:$0.33307
SPD09P06PL G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 0 2,500:$0.32944
IPD50R950CE • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 950 毫歐 @ 1.2A，13V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 231pF @ 100V
功率 - 最大: 34W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: 帶卷 (TR)