分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 TK65E10N1,S1X品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

TK65E10N1,S1X • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠(chǎng)商 描述 數(shù)量 價(jià)格
TK65E10N1,S1X Toshiba MOSFET N CH 100V 148A TO220 0 1:$3.36000
10:$3.00000
25:$2.70000
100:$2.46000
250:$2.22000
500:$1.99200
1,000:$1.68000
2,500:$1.59600
5,000:$1.53000
TK65E10N1,S1X • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 148A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 毫歐 @ 32.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 50V
功率 - 最大: 192W
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220
包裝: 管件