分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB016N06L3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IPB016N06L3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
IPB016N06L3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
0 |
1,000:$2.15250
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IPB016N06L3 G • PDF參數(shù)
類(lèi)別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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FET 型: |
MOSFET N 通道,金屬氧化物
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FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門(mén)
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漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
180A
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開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
1.6 毫歐 @ 100A,10V
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Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): |
2.2V @ 196µA
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閘電荷(Qg) @ Vgs: |
166nC @ 4.5V
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輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
28000pF @ 30V
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功率 - 最大: |
250W
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安裝類(lèi)型: |
表面貼裝
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封裝/外殼: |
TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
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供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-TO263-7
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包裝: |
帶卷 (TR)
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