分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIHS36N50D-E3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIHS36N50D-E3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIHS36N50D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V D SUPER-247 50
SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S SC70-6L 0
SIHS36N50D-E3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 36A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 130 毫歐 @ 18A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3233pF @ 100V
功率 - 最大: 446W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SUPER-247(TO-274AA)
包裝: 管件