分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI1402DH-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)
SI1402DH-T1-GE3 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| SI1402DH-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 |
0 |
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| SI3451DV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP |
0 |
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| SI4486EY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC |
0 |
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| SI4684DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
0 |
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| SI4831BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC |
0 |
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| SI5479DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET |
0 |
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| SI5857DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET |
0 |
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| SI6473DQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP |
0 |
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| SI7156DP-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
0 |
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SI1402DH-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
2.7A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
77 毫歐 @ 3A，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
1.6V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
4.5nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
950mW
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
SC-70-6
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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