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DRV591VFPR

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  • 功能描述
  • 功率驅(qū)動器IC High Efficiency PWM Power Driver
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 產(chǎn)品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 類型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升時間
  • 下降時間
  • 電源電壓-最大
  • 30 V
  • 電源電壓-最小
  • 2.75 V
  • 電源電流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-8
  • 封裝
  • Tube
DRV591VFPR 技術(shù)參數(shù)
  • DRV591VFPG4 功能描述:功率驅(qū)動器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube DRV591VFP 功能描述:功率驅(qū)動器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube DRV591EVM 功能描述:DRV591 - Power Management, Half H-Bridge Driver (Internal FET) Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:- 零件狀態(tài):有效 主要用途:電源管理,半 H 橋驅(qū)動器(內(nèi)部 FET) 嵌入式:否 使用的 IC/零件:DRV591 主要屬性:+/-3 A,2.8 ~ 5.5 V,用于熱電冷卻器(TEC)或激光二極管 輔助屬性:過電流,欠電壓和熱保護,100 或 500 kHz PWM 頻率 所含物品:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DRV590ZQCR 功能描述:功率驅(qū)動器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube DRV590GQCR 功能描述:功率驅(qū)動器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube DRV595DAP DRV595DAPR DRV595EVM DRV600EVM DRV600RTJR DRV600RTJT DRV600RTJTG4 DRV601EVM DRV601EVM2 DRV601RTJR DRV601RTJRG4 DRV601RTJT DRV602EVM2 DRV602PW DRV602PWR DRV603EVM DRV603PW DRV603PWR
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