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DN2625DK6-G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • DN2625DK6-G
    DN2625DK6-G

    DN2625DK6-G

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microchip Technology

  • MOSFET 2N-CH 250V 1.

  • 22+

  • -
  • DN2625DK6-G
    DN2625DK6-G

    DN2625DK6-G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • 8-VDFN Exposed Pad

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • DN2625DK6-G
    DN2625DK6-G

    DN2625DK6-G

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • Microchip

  • SMD

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • DN2625DK6-G
    DN2625DK6-G

    DN2625DK6-G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • DN2625DK6-G
    DN2625DK6-G

    DN2625DK6-G

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Microchip Technology

  • 標準封裝

  • 15+

  • -
  • 百分百原裝假一罰十

  • DN2625DK6-G
    DN2625DK6-G

    DN2625DK6-G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 11025

  • MICROCHIP

  • TRAY

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • DN2625DK6-G
    DN2625DK6-G

    DN2625DK6-G

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 790

  • Microchip Technology

  • 2016+

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • DN2625DK6-G
    DN2625DK6-G

    DN2625DK6-G

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:8296641615986789713

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 8000

  • Mrochip

  • 8VDFN5x5x

  • 16+

  • -
  • 只做原裝,假一賠十

  • DN2625DK6-G
    DN2625DK6-G

    DN2625DK6-G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • VDFN

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • DN2625DK6-G
    DN2625DK6-G

    DN2625DK6-G

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 490

  • MICROCHIP TECHNOLOGY

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
DN2625DK6-G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL DEPLETION MODE
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
DN2625DK6-G 技術(shù)參數(shù)
  • DN1058-471K 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 1.48 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058,Coev 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±10% 額定電流:420mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):1.48 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.370" 寬(10.40mm x 9.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.228"(5.80mm) 標準包裝:800 DN1058-470K 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 1.28A 170 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058,Coev 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±10% 額定電流:1.28A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):170 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.370" 寬(10.40mm x 9.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.228"(5.80mm) 標準包裝:800 DN1058-101K 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 970mA 350 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058,Coev 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±10% 額定電流:970mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):350 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.370" 寬(10.40mm x 9.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.228"(5.80mm) 標準包裝:800 DN1058-100M 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 2.6A 60 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058,Coev 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:2.6A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):60 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.370" 寬(10.40mm x 9.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.228"(5.80mm) 標準包裝:800 DN1047-471K 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 1.53 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1047,Coev 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±10% 額定電流:350mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):1.53 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.406" 長 x 0.366" 寬(10.30mm x 9.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.185"(4.70mm) 標準包裝:1,000 DN3535N8-G DN3545N3-G DN3545N8-G DN3687GFPV DN3694GFPV DN3765K4-G DN4835-102K DN4835-120K DN4835-120M DN4835-150K DN4835-150M DN4835-180K DN4835-180M DN4835-1R0M DN4835-1R4M DN4835-1R8M DN4835-220K DN4835-220M
配單專家

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