DIAMOND-E-12M

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DIAMOND-E-12M
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Lattice Semiconductor Cor
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
百分百原裝假一罰十

DIAMOND-E-12M
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
LATTICE S
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

DIAMOND-E-12M
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
256
Lattice
標(biāo)準(zhǔn)封裝
23+
-
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功能描述
開發(fā)軟件 Lattice Diamond 12Mo Elect Subscription
RoHS
否
制造商
Atollic Inc.
產(chǎn)品
Compilers/Debuggers
用于
ARM7, ARM9, Cortex-A, Cortex-M, Cortex-R Processors

DIAMOND-E-12M 技術(shù)參數(shù)

DIABLO16 功能描述:IC GRAPHICS CTLR EMB 64TQFP 制造商:4d systems pty ltd 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效應(yīng)用:圖形處理器核心處理器:EVE 程序存儲器類型:閃存（192 kB）控制器系列:- RAM 容量:32K x 8 接口:I2C，LCD，OLED，SD，SPI，TFT，TTL I/O 數(shù):16 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 80°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:64-TQFP 供應(yīng)商器件封裝:64-TQFP（10x10）標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 DIA53S72450A 功能描述:RELAY MONITOR AC OVER CURR 5-50A 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:DIA53 零件狀態(tài):在售類型:電流檢測 AC 跳脫狀態(tài):高激勵跳脫范圍:5 ~ 50A AC 延遲時間:- 電壓 - 電源:環(huán)路供電輸出類型:固態(tài) 電路:SPST-NO（1 A 形）不同電壓時的觸頭額定電流:0.1A @ 40VDC 安裝類型:DIN 軌道工作溫度:-20°C ~ 60°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DIA53S72420A 功能描述:RELAY MONITOR AC OVER CURR 2-20A 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:DIA53 零件狀態(tài):在售類型:電流檢測 AC 跳脫狀態(tài):高激勵跳脫范圍:2 ~ 20A AC 延遲時間:- 電壓 - 電源:環(huán)路供電輸出類型:固態(tài) 電路:SPST-NO（1 A 形）不同電壓時的觸頭額定電流:0.1A @ 40VDC 安裝類型:DIN 軌道工作溫度:-20°C ~ 60°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DI9956T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:320pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 DI9435T 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 5.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSOP（0.130"，3.30mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 DIBBC2314S21W DID-29AMMM-SL7A01 DID-29AMMM-SL7A02 DID-29AMMM-SL7A05 DID-29PFFP-SL8001 DID-29PFFS-SL8001 DIEBCC7018B DIFBA2002S00S DIFBA3003S00S DIGITAL_POL_EVAL_KIT DIL05-2C90-63L DILB14P-223TLF DILB16P-223TLF DILB18P-223TLF DILB20P-223TLF DILB24P-223TLF DILB24P-224TLF DILB28P-223TLF