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參數(shù)資料
| 型號： | CLY5 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz) |
| 中文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | CLY5 |
GaAs FET
CLY 5
________________________________________________________________________________________________________
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 2/8
17.12.96
HL EH PD21
Electrical characteristics (TA= 25°C , unless otherwise specified)
Characteristics
Symbol
min
typ
max
Unit
Drain-source saturation current
VDS = 3 V VGS = 0 V
Drain-source pinch-off current
IDSS
600
800
1200
mA
VDS = 3 V VGS = -3.8 V
Gate pinch-off current
ID
-
10
100
μA
VDS = 3 V VGS = -3.8 V
Pinch-off Voltage
IG
-
5
20
μA
VDS= 3 V ID=100μA
Small Signal Gain*)
VGS(p)
-3.8
-2.8
-1.8
V
VDS = 3 V ID = 350 mA f = 1.8 GHz
Pin = 0 dBm
Small Signal Gain*)
G
10.5
11.0
-
dB
VDS = 5 V ID = 350 mA f = 1.8 GHz
Pin = 0 dBm
Small Signal Gain **)
G
11.5
12.0
-
dB
VDS = 3 V ID = 350 mA f = 1.8 GHz
Pin = 0 dBm
Output Power
Gp
9.0
9.5
-
dB
VDS = 3 V ID = 350 mA f = 1.8 GHz
Pin = 19 dBm
Output Power
Po
26.5
27
-
dBm
VDS = 5 V ID = 350 mA f = 1.8 GHz
Pin = 21 dBm
1dB-Compression Point
Po
29.5
30
-
dBm
VDS = 3 V ID = 350 mA f = 1.8 GHz
1dB-Compression Point
P1dB
-
26.5
-
dBm
VDS = 5 V ID = 350 mA f = 1.8GHz
Power Added Efficiency
P1dB
-
30
-
dBm
VDS = 5 V ID = 350 mA f = 1.8 GHz
Pin = 21 dBm
PAE
40
55
-
%
*) Matching conditions for maximum small signal gain (not identical with power matching conditions!)
**) Power matching conditions: f=1.8GHz:
Source Match:
Γ
ms
: MAG 0.58; ANG -143°; Load Match:
Γ
ml
: MAG 0.76; ANG -116°
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