品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):GCA35-25V 22UF | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:圓柱形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±20（%） | 耐壓值:25（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):1（mΩ） | 損耗:1 | 額定電壓:25（V） | 絕緣電阻:1（mΩ） | 標(biāo)稱容量:22
≥10 PCS
￥68.10
品牌:AVX | 型號(hào):TAJC476K020RNJ | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:長(zhǎng)方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無(wú)引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:20（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):1（mΩ） | 損耗:1 | 額定電壓:20（V） | 絕緣電阻:1（mΩ） | 溫度系數(shù):1 | 標(biāo)稱容量:47
≥1 PCS
￥0.10
類型:其他IC | 品牌:AVX | 型號(hào):TAJB476K010RNJ | 功率:原廠標(biāo)準(zhǔn) | 用途:電視機(jī) | 封裝:SMD | 批號(hào):14+
≥1 PCS
￥0.30
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):47UF 2.5V A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):47UF 35V V | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):TEGPSP20J476M8R | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:長(zhǎng)方形 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 允許偏差:±20（%） | 耐壓值:6.3（V） | 額定電壓:6.3（V） | 標(biāo)稱容量:47
≥3000 PCS
￥0.35
品牌:Sunlord/順絡(luò) | 型號(hào):TC212B476M010A | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無(wú)引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:10（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):B型 47Uf/10V（mΩ） | 損耗:TC212B476M010A | 額定電壓:10（V） | 絕緣電阻:TC212B476M010A（mΩ） | 溫度系數(shù):TC212B476M010A | 標(biāo)稱容量:47
≥10000 PCS
￥0.15
品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):35V5.6UF | 介質(zhì)材料:復(fù)合介質(zhì) | 應(yīng)用范圍:其他 | 外形:珠狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±0.002（%） | 耐壓值:35（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):Q（mΩ） | 損耗:W | 額定電壓:Q（V） | 絕緣電阻:Q（mΩ） | 溫度系數(shù):Q | 標(biāo)稱容量:W
品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):35V5.6UF | 介質(zhì)材料:復(fù)合介質(zhì) | 應(yīng)用范圍:其他 | 外形:珠狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±0.002（%） | 耐壓值:35（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):Q（mΩ） | 損耗:W | 額定電壓:Q（V） | 絕緣電阻:Q（mΩ） | 溫度系數(shù):Q | 標(biāo)稱容量:W