品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF620S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPB072N15N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-263

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDB8445 仙童MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):30ETH06S | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝:TO-263 | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數(shù):1

品牌:APT/ MICROSEMI | 型號(hào):APT8030LVFRG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 封裝:to-263

品牌:ST/意法 | 型號(hào):STB30NF20 | 溝道類型:其他 | 類型:通信IC | 批號(hào):08+ | 封裝:TO-263

品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MC7805BD2T | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號(hào):2010+ | 封裝:TO-263

品牌:LT/凌特 | 型號(hào):LT1370CR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 類型:其他IC | 批號(hào):0110+ | 封裝:TO-263

品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MC7805BD2T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:其他IC | 批號(hào):13+ | 封裝:TO-263

品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MTB2P50ET4G | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 封裝:TO-263

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):30ETH06S | 功率:0 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝:TO-263 | 批號(hào):13 | 最大漏極電流:0 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數(shù):0

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF640NS /IRF640NSTRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝:TO263(D2PAK)

品牌:NATIONALCHIP | 型號(hào):LM2940S-5.0 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO-263