應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SA1615 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:15 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 截止頻率fT:0
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD6635 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥1.00
≥1000 PCS
¥0.44
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SD882 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252
2500-4999 PCS
¥0.29
≥5000 PCS
¥0.28
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MDJ42C/MDJ41C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252
2500-4999 PCS
¥0.68
≥5000 PCS
¥0.67
應用范圍:振蕩 | 品牌:ST/意法 | 型號:L78M05CDT-TR | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252
≥10 PCS
¥1.00
應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJD44H11 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:45 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:150 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝
≥1 PCS
¥1.90
類型:射頻IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2231 | 功率:- | 用途:- | 封裝:TO-252 | 批號:12+
應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA | 型號:2SC3072-C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片
≥3000 PCS
¥1.04
應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA | 型號:2SB908 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片
≥3000 PCS
¥0.96
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:3DD13002 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:長電代理原裝正品 | 擊穿電壓VCBO:長電代理原裝正品 | 集電極最大允許電流ICM:長電代理原裝正品 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:長電代理原裝正品 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝
應用范圍:達林頓 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD127 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252
應用范圍:達林頓 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD122G J122G MJD127G J127G | 封裝形式:TO252
≥1000 PCS
¥1.30
應用范圍:功率 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:D1803/2SD1803 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-251/TO-252 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:50 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝
應用范圍:功率 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:D1803 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252
≥1 PCS
¥1.00
應用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SD1803 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252
≥1000 PCS
¥0.38
應用范圍:放大 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號:C5103 A1952 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型
10-999 PCS
¥1.00
1000-9999 PCS
¥0.70
≥10000 PCS
¥0.60
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:B772 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1.25 | 擊穿電壓VCBO:-40 | 集電極最大允許電流ICM:-3 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:80 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:長電一級代理