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- 雙n溝道mos管高壓mos管FQPF12N60C 12N60C
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF12N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道m(xù)os管高壓mos管
- 10-99 個(gè)
  
  ￥2.00
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.95
- 詢價(jià)
- XP4878/復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 雙N溝道 50V 100mA SOT-363/松下
  
  品牌:Panasonic/松下 | 型號(hào):XP0487800LS0(XP4878) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SYM/對(duì)稱類 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 千克
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- AOS/美國(guó)萬(wàn)代 AON3806 MOS管場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AON3806 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:2 個(gè) N 溝道（雙） | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-SMD，扁平引線裸焊盤 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場(chǎng)效應(yīng)管美國(guó)mos管萬(wàn)代mos管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- SSM6P41FE/復(fù)合MOS管雙P溝道 -20V -0.72A SOT-563/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6P41FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管復(fù)合mos管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- SI1023X/復(fù)合雙P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 20V 390mA SOT-563/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI1023X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- V30324-T1-E3/雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 20V 0.7A/SOT-363/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):V30324-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢價(jià)
- UPA611TA/雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 30V 0.1A SOT-163/高速開關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA611TA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- UM6K1/30V 0.1A/雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/ROHM
  
  品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):UM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 rohm場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.28
- 詢價(jià)
- SI3948DV/復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 雙N溝道 30V 2.5A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:SILICON | 型號(hào):SI3948DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.65
- 詢價(jià)
- AOS/美國(guó)萬(wàn)代 AO8818 MOS管場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO8818 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:2 N 溝道（雙）共漏 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場(chǎng)效應(yīng)管美國(guó)mos管萬(wàn)代mos管
- 1-999 個(gè)
  
  ￥0.80
- 1000-2999 個(gè)
  
  ￥0.70
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.65
- 詢價(jià)
- AOS/美國(guó)萬(wàn)代 AO7801 MOS管場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO7801 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:2 個(gè) P 溝道（雙） | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場(chǎng)效應(yīng)管美國(guó)mos管萬(wàn)代mos管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- UPA1952TE/復(fù)合管場(chǎng)效應(yīng)管MOS 雙P溝道 20V 2A SOT-163/開關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):upa1952te | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.95
- 詢價(jià)
- 3SK131/N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 20V 25mA SOT-143/RF放大/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):3SK131 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥1.80
- 詢價(jià)
- CPH5611/雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 20V 3A SOT-153/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH5611 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 3a場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- GT4946BEY 6.5A/60V雙N溝道增強(qiáng)型MOS管可替代AO4828 FDS9945
  
  品牌:GT | 型號(hào):GT4946BEY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 60a場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道m(xù)os管增強(qiáng)型mos管
- 詢價(jià)
- EM6K1/雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 30V 0.1A SOT-563/ROHM
  
  品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):EM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 rohm場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥8000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- 3SK224/RF放大/雙柵極 N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-143/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):3SK224 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.025A | 最大源漏電壓VDSS:18V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- TN0205AD/雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 20V 0.25A SOT-363/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):TN0205AD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道m(xù)os管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- SSM6N17FU/復(fù)合MOS管雙N溝道 50V 0.1A SOT-363/TOSHIBA東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6N17FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:50V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道m(xù)os管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- SSM5N15FE/復(fù)合MOS管雙N溝道共源極 30V 0.1A SOT-353/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM5N15FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道m(xù)os管東芝mos管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)