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◆華爾立實(shí)體店◆ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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◆華爾立簡(jiǎn)介◆ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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◆ 商品圖片◆ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
◆ 商品介紹◆ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(一)貼片電容的詳細(xì)說(shuō)明 貼片電容,又稱(chēng)片式電容、片狀獨(dú)石陶瓷電容、疊層貼片陶瓷電容。通常根據(jù)其使用材質(zhì)分為:NPO、X7R、X5R、Y5V四個(gè)系列。 1. NPO貼片電容 此類(lèi)介質(zhì)材料的貼片電容采用Ⅰ級(jí)瓷,通常使用Ag/Pd做內(nèi)電極,Ni/Sn做端電極,TC不隨溫度改變而改變,屬溫度補(bǔ)償型產(chǎn)品,精度通常為±5%,更小容值的可低至±0.25PF、±0.1PF。這種產(chǎn)品因具有低損耗、電容浮動(dòng)補(bǔ)償、高穩(wěn)定性等特點(diǎn)。通常被應(yīng)用于低損耗,穩(wěn)定性要求高的高頻電路中;如:振蕩器、濾波器等產(chǎn)品中。 2. X7R、X5R、Y5V貼片電容 此類(lèi)介質(zhì)材料的貼片電容采用Ⅱ級(jí)瓷,使用Ni做內(nèi)電極,Ni/Sn做端電極,精度依次為±10%、±10%(或±20%)、-20%~+80%。與NPO材質(zhì)相比其具有較高的介電常數(shù),具有更高的容量,這三個(gè)系列的產(chǎn)品損耗較高,容值隨溫度變化較大。適用于容量范圍廣,溫度變化不大的電路中。如:退耦、耦合、隔直、鑒頻、旁路等電路中。 3.電容容量偏差: J=+-5% K=+-10% M=+-20% Z=+80%-20% (二)貼片電容里的X7R與Y5V有什么差別? 按美國(guó)電工協(xié)會(huì)(EIA)標(biāo)準(zhǔn),不同介質(zhì)材料的MLCC按溫度穩(wěn)定性分成三類(lèi):超穩(wěn)定級(jí)(工類(lèi))的介質(zhì)材料為COG或NPO;穩(wěn)定級(jí)(II類(lèi))的介質(zhì)材料為X7R;能用級(jí)(Ⅲ)的介質(zhì)材料Y5V。 X7R電容器被稱(chēng)為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線(xiàn)性的。 X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。 (三)貼片電容的封裝與耐壓值的關(guān)系圖
(三)貼片電容封裝尺寸
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