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- SI2303CDS/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY威世
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2303CDS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.3W | 最大漏極電流ID:-2.7A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- SI1301DL/開關(guān)/P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET -20V -180mA SOT-323/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI1301DL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- BSH207/開關(guān) 接口/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/PHILIPS
  
  品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號(hào):BSH207 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-1.52A | 最大源漏電壓VDSS:-12V | 產(chǎn)品類型:其他
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- 3LP01SS-TL-E/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-923
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):3LP01SS-TL-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P通道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥8000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- MOS場(chǎng)效應(yīng)管 SE2302 N溝道 SOT23
  
  品牌:SINO-IC | 型號(hào):SE2302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 sot23場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3 K
  
  ￥200.00
- 詢價(jià)
- TP0101TS/開關(guān) 驅(qū)動(dòng)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-23/SILICONIX
  
  品牌:SILICON | 型號(hào):TP0101TS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TR/激勵(lì)、驅(qū)動(dòng) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:-1A | 最大源漏電壓VDSS:-20V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.43
- 詢價(jià)
- RHU002N06/開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-323/ROHM
  
  品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):RHU002N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- PMN38EN/場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET N溝道 30V 5.4A SOT-163/開關(guān)/NXP
  
  品牌:NXP/恩智浦 | 型號(hào):PMN38EN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.38
- 詢價(jià)
- PMBF170/開關(guān) 驅(qū)動(dòng)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/PHILIPS
  
  品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號(hào):PMBF170 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:0.25A | 最大源漏電壓VDSS:60V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.26
- 詢價(jià)
- AOS/美國(guó)萬(wàn)代 AO4812 MOS管 AOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO4812 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場(chǎng)效應(yīng)管美國(guó)mos管萬(wàn)代mos管
- 1-999 個(gè)
  
  ￥1.00
- 1000-2999 個(gè)
  
  ￥0.90
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.80
- 詢價(jià)
- AOS/美國(guó)萬(wàn)代 AO4940 MOS管 AOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO4940 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場(chǎng)效應(yīng)管美國(guó)mos管萬(wàn)代mos管
- 1-999 個(gè)
  
  ￥1.30
- 1000-2999 個(gè)
  
  ￥1.20
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥1.10
- 詢價(jià)
- 2SK3576/開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK3576 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:4A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- 2SK3546JOL/開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-923/Panasonic
  
  品牌:Panasonic/松下 | 型號(hào):2SK3546JOL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:50V | 介質(zhì)材料:其他
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 2SK3503-T1/N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 16V 0.1A SOT-523/高速開關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK3503-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- CPH6402/N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/30V 4A/開關(guān)/SOT-163/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH6402 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:4A | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- CPH6401/N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/20V 4A/開關(guān)/SOT-163/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH6401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:4A | 最大源漏電壓Vds:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- AOS/美國(guó)萬(wàn)代 AO3409 MOS管 AOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO3409 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場(chǎng)效應(yīng)管美國(guó)mos管萬(wàn)代mos管
- 1-999 個(gè)
  
  ￥0.25
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢價(jià)
- 2SK2569ZN/高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/HITACHI
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK2569ZN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:50V | 產(chǎn)品類型:其他
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- 2SK2437/開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-89/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):2SK2437 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:3.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- 2SK2316/超高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-89/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):2SK2316 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:20V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)

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