品牌:ST/意法 | 型號:L7808CV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 集電極最大耗散功率PCM:- | 封裝形式:TO-220 | 集電極最大允許電流ICM:-
≥50 個
¥0.40
應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:EMIF01-5250SC5 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23-5 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥100 PCS
¥0.10
應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FJA13009TU | 材料:SIT靜電感應 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 用途:NF/音頻(低頻) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:GT30J322/GT30J122 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:/
≥1000 千克
¥0.10
類型:其他IC | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:RD30HUF1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:射頻功率放大模塊 | 應用范圍:微波
應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FJP13007H2TU | 材料:SIT靜電感應 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
品牌:TOREX/特瑞仕 | 型號:XC61AN2702ML | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si) | 產(chǎn)品類型:開關管 | 是否進口:是 | 主要參數(shù):二三極管
≥3000 個
¥0.01
品牌:Vishay/威世通 | 型號:60CPU02-F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝形式:直插型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:功率
≥50 千克
¥0.10
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:直插型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:振蕩
≥50 千克
¥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7416TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SO-8
≥100 個
¥0.55
品牌:ST/意法 | 型號:STF7NK30Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥50 個
¥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF9520NPBF-菲律賓 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體
≥50 個
¥0.10
品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:MJE13007 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調(diào)頻 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12+ | 封裝:TO-220
加工定制:否 | 品牌:聯(lián)騰達 | 型號:LV | 材質(zhì):玻璃纖維 | 阻燃性:94-V0 | 耐溫:-40-220(℃) | 耐壓:1500(KV) | 顏色:灰色 | 產(chǎn)品認證:SGS UL
100-9999 米
¥2.20
10000-99999 米
¥1.90
≥100000 米
¥1.70