• BSM200GA120DLC模塊

      品牌:EUPEC歐派克 | 型號(hào):BSM200GA120DLC | 控制方式:其他 | 類型:電源模塊 | 功率:200W | 批號(hào):2010+ | 電源電流:1200v | 針腳數(shù):IGBT | 電源電壓:150A | 封裝:IGBT | 屬性:屬性值

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    • BSM15GP60模塊

      品牌:EUPEC歐派克 | 型號(hào):BSM15GP60 | 控制方式:其他 | 類型:電源模塊 | 功率:100 | 批號(hào):2010+ | 產(chǎn)品類型:其他 | 電源電流:1200v | 針腳數(shù):IGBT | 電源電壓:120A | 封裝:IGBT | 屬性:屬性值

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    • BSM15GD120DN2-1310模塊

      品牌:EUPEC | 型號(hào):BSM15GD120DN2-1310 | 控制方式:其他 | 類型:電源模塊 | 功率:100W | 批號(hào):2010+ | 用途:儀器 | 電源電流:1200V | 針腳數(shù):IGBT | 電源電壓:120A | 封裝:IGBT | 屬性:屬性值

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    • 6MBI75U4B-120-50，富士IGBT模塊

      類型:電源模塊 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):6MBI75U4B-120-50 | 電源電流:75A | 電源電壓:1200V | 功率:6MBI75U4B-120-50 | 針腳數(shù):6MBI75U4B-120-50 | 封裝:全新模塊 | 批號(hào):201+

    • 1-9 PCS

      ￥405.00

    • 10-49 PCS

      ￥395.00

    • ≥50 PCS

      ￥385.00

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    • FZ1200R17KF4 EUPEC IGBT模塊

      品牌:EUPEC | 型號(hào):FZ1200R17KF4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

    • ≥100 個(gè)

      ￥1.00

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    • FZ1200R12KF4 EUPEC IGBT模塊

      品牌:EUPEC | 型號(hào):FZ1200R12KF4 | 控制方式:其他 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型

    • ≥100 個(gè)

      ￥1.00

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    • FZ800R17KF6 歐派克IGBT模塊

      品牌:EUPEC | 型號(hào):FZ800R17KF6 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

    • ≥10 個(gè)

      ￥1.00

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    • 英飛凌IGBT模塊BSM200GA170DLC_S4

      品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):BSM200GA170DLC_S4 | 控制方式:其他 | 極數(shù):二極 | 封裝材料:金屬封裝 | 額定正向平均電流:1（A） | 控制極觸發(fā)電流:1（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:1（A） | 反向重復(fù)峰值電壓:1（V） | 功率:1 | 針腳數(shù):1 | 封裝:IGBT模塊封裝

    • ≥10 PCS

      ￥980.00

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    • 晶興豐三菱IGBT 功率模塊CM50DY-12H

      品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號(hào):CM50DY-12H | 控制方式:BTG | 極數(shù):多極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:平板形 | 關(guān)斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:1（A） | 控制極觸發(fā)電流:1（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:1（A） | 反向重復(fù)峰值電壓:1（V） | 規(guī)格:50A/600V/IGBT/2U | 用途:L/功率放大 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

    • ≥1 個(gè)

      ￥167.50

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    • Infineon IGBT模塊FS150R12KT3

      品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):FS150R12KT3 | 控制方式:單向 | 極數(shù):二極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:平板形 | 關(guān)斷速度:普通 | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:1（A） | 控制極觸發(fā)電流:1（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:150（A） | 反向重復(fù)峰值電壓:1200（V） | 用途:A/寬頻帶放大 | 材料:N-FET硅N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

    • ≥1 個(gè)

      ￥520.00

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    • Infineon IGBT模塊FS50R12KT3

      應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):FS50R12KT3 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 產(chǎn)品類型:其他 | 用途:A/寬頻帶放大

    • ≥1 個(gè)

      ￥250.00

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    • SKIIP37NAB12T4V1模塊，西門康IGBT模塊

      類型:電源模塊 | 品牌:Semikron/西門康 | 型號(hào):SKIIP37NAB12T4V1 | 電源電流:SKIIP37NAB12T4V1 | 電源電壓:SKIIP37NAB12T4V1 | 功率:SKIIP37NAB12T4V1 | 針腳數(shù):SKIIP37NAB12T4V1 | 封裝:模塊 | 批號(hào):2012+

    • ≥1 個(gè)

      ￥650.00

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    • 富士IGBT 模塊1MBI400S-120

      品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):1MBI400S-120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 控制方式:電壓控制 | 屬性:400A/1200V/IGBT/1U

    • ≥1 個(gè)

      ￥10.00

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