• 上晶品牌3CTG/高頻可控硅/高頻晶閘管/KG1500A/1600V

      品牌:上晶 | 型號:3CTG/KG1500A/1600V | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:高頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:1500（A） | 控制極觸發(fā)電流:.（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:.（A） | 反向重復峰值電壓:1600（V）

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    • 562J 630V金屬膜電容PPN可控硅吸收電容器CBB13金屬薄膜CL21電容

      品牌:knscha | 型號:knscha | 介質材料:有機薄膜 | 應用范圍:分頻 | 外形:圓片形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:超高頻 | 調節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±0.005（%） | 耐壓值:630（V） | 等效串聯電阻(ESR):562J 630V金屬膜電容PPN可控硅吸收電容器CBB13金屬薄膜CL21電容（mΩ） | 損耗:562J 630V金屬膜電容PPN可控硅吸收電容器CBB13金屬薄膜CL21電容 | 額定電壓:562J 630V金屬膜電容PPN可控硅吸收電容器CBB13金屬薄膜CL21電容（V） | 絕緣電阻:562J 630V金屬膜電容PPN可控硅吸收電容器CBB13金屬薄膜CL21電容（mΩ） | 溫度系數:562J 630V金屬膜電容PPN可控硅吸收電容器CBB13金屬薄膜CL21電容 | 標稱容量:562J 630V金屬膜電容PPN可控硅吸收電容器CBB13金屬薄膜CL21電容

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    • 上晶品牌高頻可控硅/高頻晶閘管/KG1400A/1600V

      品牌:上晶 | 型號:KG1400A/1600V | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:高頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:1400（A） | 控制極觸發(fā)電流:.（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:.（A） | 反向重復峰值電壓:1600（V）

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    • 上晶品牌高頻可控硅/高頻晶閘管/KA1400A/1600V

      品牌:上晶 | 型號:KA1400A1600V | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:1400（A） | 控制極觸發(fā)電流:.（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:.（A） | 反向重復峰值電壓:1600（V）

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