應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:進(jìn)口 | 型號:C4138,2SC4138 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
100-2999 PCS
¥0.80
≥3000 PCS
¥0.70
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:進(jìn)口 | 型號:三極管2SC3320,C3320,C3306 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
100-2999 PCS
¥1.00
≥3000 PCS
¥0.80
應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:P147 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:-- | 集電極最大允許電流ICM:-- | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:-- | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:--
≥50 PCS
¥0.50
應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:P42C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:--- | 集電極最大允許電流ICM:-- | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:-- | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:--
≥50 PCS
¥0.50
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:拆機(jī)整流管YG805C06,YG805C02,YG902C06 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:to,220 | 反向重復(fù)峰值電流:? | 工作結(jié)溫:? | 效率:?
≥2000 個(gè)
¥0.25
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:SANKEN | 型號:SE135 | 加工定制:否
2-99 PCS
¥0.79
100-499 PCS
¥0.78
≥500 PCS
¥0.76
品牌:ST/意法 | 型號:9N90 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:. | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:. | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:. | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:玻璃封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:. | 應(yīng)用范圍:開關(guān)
1000-1999 個(gè)
¥1.20
≥2000 個(gè)
¥1.15
應(yīng)用范圍:帶阻尼 | 品牌:進(jìn)口 | 型號:IXGM40N60A | 類型:功放IC | 批號:金封管系列
≥1 PCS
¥1.10
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:進(jìn)口 | 型號:C3261,C3994,C4234,C3847 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
100-2999 PCS
¥0.50
≥3000 PCS
¥0.40
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:進(jìn)口 | 型號:BYV52 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
100-2999 PCS
¥0.50
≥3000 PCS
¥0.45
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:進(jìn)口 | 型號:BUF420A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
100-2999 PCS
¥1.00
≥3000 PCS
¥0.80
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:進(jìn)口拆機(jī) | 型號:BU508DF BUF420A BU508A BU508D | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型
100-2999 PCS
¥0.80
≥3000 PCS
¥0.60
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:進(jìn)口拆機(jī) | 型號:2SK2148 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
100-2999 PCS
¥0.60
≥3000 PCS
¥0.55
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:SanKen/三墾 | 型號:2SC4706 | 材料:硅(SI),硅(SI),硅(SI),硅(SI) | 封裝形式:--- | 集電極最大耗散功率PCM:60 | 集電極最大允許電流ICM:16 | 截止頻率fT:2
≥100 個(gè)
¥0.60
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2545 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)
≥1000 個(gè)
¥0.60
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:BC556A BC556B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:22 | 集電極最大允許電流ICM:22 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:33 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:11
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:HARRIS/哈里斯 | 型號:4N100 | 材料:硅(Si)
≥500 PCS
¥0.80