直插獨(dú)石電容器225 475 105 106 50V

一類(lèi)為溫度補(bǔ)償類(lèi)NPO電介質(zhì)
　　這種電容器電氣性能最穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時(shí)間的改變，屬超穩(wěn)定型、低損耗電容材料類(lèi)型，適用在對(duì)穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。
二類(lèi)為高介電常數(shù)類(lèi)X7R電介質(zhì)
　　。由于X7R是一種強(qiáng)電介質(zhì)，因而能制造出容量比NPO
　　介質(zhì)更大的電容器。這種電容器性能較穩(wěn)定，隨溫度、電壓時(shí)間的改變，其特有的性能變化并不顯著，屬穩(wěn)定電容材料類(lèi)型，使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。
三類(lèi)為半導(dǎo)體類(lèi)Y5V電介質(zhì)
　　色環(huán)電容和軸向電容器具有較高的介電常數(shù)，常用于生產(chǎn)比容較大、標(biāo)稱(chēng)容量較高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性較X7R差，容量、損耗對(duì)溫度、電壓等測(cè)試條件較敏感，主要用在電子整機(jī)中的振蕩、耦合、濾波及傍路電路中。
　　色環(huán)電容和軸向電容比一般瓷介電容器大（10pF~10μF），且電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫，絕緣性好，成本低等優(yōu)點(diǎn)，因而得到廣泛的應(yīng)用。獨(dú)石電容器不僅可替代云母電容器和紙介電容器，還取代了某些鉭電容器，廣泛應(yīng)用在小型和超小型電子設(shè)備(如液晶手表和微型儀器)中。
　　獨(dú)石電容的特點(diǎn)：
　　溫度特性好，頻率特性好。一般電容隨著頻率的上升,電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律，獨(dú)石電容下降比較少，容量比較穩(wěn)定。

適用場(chǎng)合

　　應(yīng)用范圍：
　　廣泛應(yīng)用于電子精密儀器。各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。
　　容量范圍：
10pF~10μF
　　耐壓：二倍額定電壓。
 
 
 
電氣性能標(biāo)準(zhǔn)THE STANDARD OF THE ELECTRICAL PROPERTICAC

檢驗(yàn)項(xiàng)目 ITEM	檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) TEST STANDARD
	NPO(N)    COG（CG）	X7R(B)		Z5U(E)		Y5V(Y、F)
電容量(C) Capacitance	在相應(yīng)的誤差 范圍內(nèi) In the tolerance	在相應(yīng)的誤差 范圍內(nèi) In the tolerance		在相應(yīng)的誤差 范圍內(nèi) In the tolerance		在相應(yīng)的誤差 范圍內(nèi) In the tolerance
損耗角正切(DF) Dissipation Factor	CR≥50pF   DF≤0.15%   CR<50pF DF≤1.5[(150/CR)+7]      ×10-4	≤3.5%		≤5%		≤3.5%(150000PF以下) ≤10%（220000-470000PF） ≤15%（480000-1000000PF）
絕緣電阻(IR) Insulation Resistance	C≤ 10nF R>10000 MΩ C> 10nF R．C> 100S	C≤ 25nF R>4000 MΩ C> 25nF R．C> 100S		C≤ 25nF R>4000 MΩ C> 25nF R．C> 100S		C≤ 25nF R>4000 MΩ C> 25nF R．C> 100S
耐電壓 Dielectric Withstanding Voltage	2．5倍額定電壓 2．5×rated Voltage	2．5倍額定電壓 2．5×rated Voltage		2．5倍額定電壓 2．5×rated Voltage		2．5倍額定電壓 2．5×rated Voltage
測(cè)試條件 TEST CONDITION
測(cè)試頻率 Test Frequency	100kHZ (C>1000PF,1KHZ)		1KHZ		1KHZ		1KHZ
測(cè)試電壓 Test Voltage	1±0．2VDC		1±0．2VDC		0．3±0．2VDC		0．3±0．2VDC
絕緣電阻測(cè)試電壓 Test Voltage of IR	額定電壓 Rated Voltage		額定電壓 Rated Voltage		額定電壓 Rated Voltage		額定電壓 Rated Voltage
環(huán)境溫度 Temperature	18℃～25℃		18℃～25℃		18℃～25℃		18℃～25℃
環(huán)境濕度 Humidity	< 75%		< 75%		< 75%		< 75%
溫度系數(shù) Temperature Coefficient	0±30ppm/℃ -55℃to +125℃		±15% -55℃to +125℃		+22% to–56% +10℃to +85℃		+30% to-80% -25℃to +85℃

 
 
 
 
 
品質(zhì)檢驗(yàn)項(xiàng)目及可靠性試驗(yàn)QUALITY INSPECTION AND RELLABILITY

項(xiàng)目 ITEM		檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) TEST SPECIFICATIONS	檢驗(yàn)方法 TEST METHODS
可焊性 Solderablity		引線表面均勻沾錫,上錫面積不小于總面積的75%。 Lead wire shall be soldered with uniformly coated on the axial  or radial direction over 3/4 of  the  circumferential direction.	將電容器引線浸入含25%酒精（或異丙醇）的松香溶液后浸入焊接槽溫度為235±5℃的焊錫中2±0.5秒，浸入深度距離電容體2.5～3.0mm。 The lead wire of a capacitor shall be dipped into a 25% methanol solution of rosin and then into molten solder of 235±5℃ for 2±0.5 seconds ,in both cases the depth of dipping is up to about 2.5 to 3.0 mm from the root of lead wires.
耐焊性 Resistance To soldering heat	外觀 Appearance	無(wú)損傷 No marked defect	焊錫溫度265±5℃，時(shí)間5±0.5秒，插入深度距離電容體2.5～3.0mm，插入速度1秒，試驗(yàn)后2～24小時(shí)測(cè)量。 The lead wire shall be immersed into the melted solder of 265±5℃，up to about 2.5 to 3.0mm from the main body for 5±0.5 sec and the specified items shall be measured after leaving for 2 to 24 hours.
	容量變化ΔC/C Capacitance change	NPO:≤5% X7R:≤-5～+10% Y5V:≤-10～+20%
	介電強(qiáng)度（引線間） Dielectric strength（between lead wires）	不失效 No failure
耐久性 List test	外觀 Appearance	無(wú)外觀損傷 No  marked defect	條件 Condition	NPO	X7R	Y5V		Z5U
	容量變化ΔC/C Capacitance change	NPO：≤2% X7R：≤20% Y5V：≤30%	溫度 Temperature	+125℃		+85℃
	D．F.	NPO：≤0.3% X7R：≤5% Y5V：≤7%	時(shí)間 Time	t=1000h
		R．C>25S	電壓 Voltage	V=1.5Vr
			恢復(fù)時(shí)間 Recovery time	24±1h
引出端強(qiáng)度 Strength   of Lead  temination	拉力 Pull	引線不斷 電容器不破損 Lead wire shall not cut off. Capacitor shall not be broken.	如圖：固定電容器并加力，引線直徑0.5mm以上加力3kg，保持5秒 As a figure, fix the body of capacitor, apply a tensile weight gradually to each lead in the radial direction of capacitor up to 2 okgf, and keep it for l to 5 sec.				G
	折彎 Bending		引線負(fù)荷0.5kg向一方向折彎900后恢復(fù)原位，再向反方向折彎900恢復(fù)原狀為一次，共3次。 Each lead wire shall be subjected to 0.5kgf weight and then a 900bend at the point of egress, in one direction, return to original position and then a 900bend in the opposite       direetion at the rate of one bend.