您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > C字母型號搜索 > C字母第4788頁 >

CSD87351Q5D

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
CSD87351Q5D PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET Synch Buck NexFET Power Block
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
CSD87351Q5D 技術(shù)參數(shù)
  • CSD87350Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 20A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1770pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON(5x6) 標準包裝:1 CSD87335Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1050pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD87335Q3D 功能描述:MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1050pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD87334Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 12A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1260pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD87333Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.3 毫歐 @ 4A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND CSD88539NDT CSD88584Q5DC CSD88584Q5DCT CSD88599Q5DC
配單專家

在采購CSD87351Q5D進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買CSD87351Q5D產(chǎn)品風(fēng)險,建議您在購買CSD87351Q5D相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的CSD87351Q5D信息由會員自行提供,CSD87351Q5D內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (m.hkdtupc.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號