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CSD17306Q5A

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
CSD17306Q5A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
CSD17306Q5A 技術(shù)參數(shù)
  • CSD17305Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:29A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 30A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17304Q3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 56A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），56A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 17A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:955pF @ 15V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17303Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3420pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17302Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Ta），87A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.9 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17301Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.55V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:25nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3480pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17313Q2Q1T CSD17313Q2T CSD17318Q2 CSD17318Q2T CSD17322Q5A CSD17327Q5A CSD17381F4 CSD17381F4T CSD17382F4 CSD17382F4T CSD17483F4 CSD17483F4T CSD17484F4 CSD17484F4T CSD17501Q5A CSD17505Q5A CSD17506Q5A CSD17507Q5A
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