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CPH6411-TL-E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CPH6411-TL-E
    CPH6411-TL-E

    CPH6411-TL-E

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 72540

  • SANYO

  • CPH6

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • CPH6411-TL-E
    CPH6411-TL-E

    CPH6411-TL-E

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • SANYO

  • SOT-163

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • CPH6411-TL-E
    CPH6411-TL-E

    CPH6411-TL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • SANYO

  • SOT163

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • CPH6411-TL-E
    CPH6411-TL-E

    CPH6411-TL-E

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • SANYO

  • SOT-23-6

  • 新年份

  • -

  • 一級代理全新原裝現(xiàn)貨特價！

  • CPH6411-TL-E
    CPH6411-TL-E

    CPH6411-TL-E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1390

  • SANYO

  • CPH6

  • 09+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CPH6411-TL-E
    CPH6411-TL-E

    CPH6411-TL-E

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯(lián)系人：陳

    電話：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

  • 10000

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

  • 1/1頁 40條/頁 共26條 
  • 1
CPH6411-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 20V 6A CPH6
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
CPH6411-TL-E 技術(shù)參數(shù)
  • CPH6355-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:169 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:172pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6355-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):Not For New Designs FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:169 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:172pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6354-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6354-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6350-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6445-TL-W CPH6501-TL-E CPH6531-TL-E CPH6532-TL-E CPH6538-TL-H CPH6539-TL-H CPH6615-TL-E CPH6616-TL-E CPH6635-TL-H CPH6636R-TL-W CPH6904-TL-E CPH-E13/7/4-1S-6P CPH-E19/8/5-1S-8PD-Z CPH-E19/8/5-2S-4P-C CPH-E20/10/6-1S-8P CPH-E25/10/6-1S-10PD-C CPH-E25/13/7-1S-10P CPH-E30/15/7-1S-10P-C
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