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CP647-MJ11013-CT

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CP647-MJ11013-CT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS PNP DARL 30A 90V DIE
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 托盤
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 晶體管類型
  • PNP - 達林頓
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 30A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 90V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 4V @ 300mA,30A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 1mA
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 200 @ 30A,5V
  • 頻率 - 躍遷
  • -
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應商器件封裝
  • 模具
  • 標準包裝
  • 36
CP647-MJ11013-CT 技術參數(shù)
  • CP647-CEN1103-WS 功能描述:TRANS PNP DARLINGTON DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 CP647-CEN1103-WN 功能描述:TRANS PNP DARLINGTON DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 CP647-CEN1103-CT 功能描述:TRANS PNP DARLINGTON DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:36 CP647-2N6287-WN 功能描述:TRANS PNP DARL 20A 100V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 200mA,20A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 頻率 - 躍遷:4MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 CP647-2N6287-CT 功能描述:TRANS PNP DARL 20A 100V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 200mA,20A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 頻率 - 躍遷:4MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:36 CP6532-000 CP6550-EU CP6550-NA CP6582-000 CP6584-000 CP6590-000 CP-66 AA CP-66 BE CP-66 BK CP-66 GN CP-66 GY CP-66 NT CP-66 RD CP-66 WE CP6629-000 CP6641-000 CP6770-EU CP6770-NA
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