CLH07(TE16R,Q)

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型號(hào)
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廠商
封裝
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說明
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功能描述
DIODE GEN PURP 400V 5A L-FLAT
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
二極管類型
標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
400V
電流 - 平均整流（Io）
5A（DC）
不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf
1.8V @ 5A
速度
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
35ns
不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
10μA @ 400V
不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容
-
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
L-FLAT?
供應(yīng)商器件封裝
L-FLAT?（4x5.5）
工作溫度 - 結(jié)
-40°C ~ 150°C
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CLH07(TE16R,Q) 技術(shù)參數(shù)

CLH07(TE16L,NMB,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:5A（DC）不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.8V @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:35ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5）工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CLH06(TE16R,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:5A（DC）速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:35ns 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5）工作溫度 - 結(jié):- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CLH06(TE16L,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:5A（DC）速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:35ns 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5）工作溫度 - 結(jié):- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CLH05,LMBJQ(O 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:5A（DC）不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:0.98V @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:35ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5）工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CLH05(TE16R,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:5A（DC）不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:0.98V @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:35ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5）工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CLI/P-RM12/I CLI/P-RM14/I CLI/P-RM8/I CLI/P-RM8/ILP CLI-E25/13/7 CLI-EP10 CLI-EP13 CLINK3V28BT-85 CLINK3V48BT-112 CLINK3V48BT-133 CLIP3-10 CLIPCLAMPEASY2XOXA1 CLI-RM12/ILP CLI-RM7/I CLI-RM7/ILP CLI-RM8/I-C CLJ.M26.GLAG CLJ.M34.GLAG