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CDM2206-800LR SL

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CDM2206-800LR SL
    CDM2206-800LR SL

    CDM2206-800LR SL

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 39800

  • Central

  • TO-220

  • 新年份

  • -
  • 一級代理全新原裝現(xiàn)貨特價!

  • CDM2206-800LR SL
    CDM2206-800LR SL

    CDM2206-800LR SL

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CDM2206-800LR SL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 800V 6A TO220
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 6A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 950 毫歐 @ 3A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 24.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • *
  • 功率 - 最大值
  • 110W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-220
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 50
CDM2206-800LR SL 技術(shù)參數(shù)
  • CDM2205-800FP SL 功能描述:MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.7 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):705pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CDM22012-800LRFP SL 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):450 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):52.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1090pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CDM22011-600LRFP SL 功能描述:MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23.05nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):763pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CDM22010-650 SL 功能描述:MOSFET N-CH 10A 650V TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1168pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CDM-22 功能描述:22 電路 0.546"(13.86mm) 阻隔塊 連接器, 螺釘 制造商:curtis industries 系列:CDM 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 端子塊類型:阻隔塊 電路數(shù):22 進線數(shù):44 間距:0.546"(13.86mm) 排數(shù):2 額定電流:30A 額定電壓:600V 線規(guī):10-22 AWG 頂部端接:螺釘 底部端接:閉合式 隔板類型:雙壁(雙) 特性:法蘭,標(biāo)記條 顏色:- 端子螺紋材料:- 端子螺紋表面:- 安裝類型:底座,面板 工作溫度:130°C 材料 - 絕緣:熱塑性聚酯 材料可燃性等級:UL94 V-0 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 CDM-30 CDM-31 CDM-32 CDM-33 CDM-34 CDM-35 CDM-36 CDM-37 CDM-38 CDM3-800 TR13 CDM-39 CDM-4 CDM-40 CDM-41 CDM-42 CDM-43 CDM-44 CDM-45
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