C3M0075120J

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

C3M0075120J
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263-7L
24+
-
國產品牌，替代進口

C3M0075120J
中山市翔美達電子科技有限公司
中山市翔美達電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
6000
CREE
QFP
22+
-
原裝正品現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
制造商
cree/wolfspeed
系列
C3M?
包裝
散裝
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術
SiC（碳化硅結晶體管）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
51nC @ 15V
Vgs（最大值）
+19V，-8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1350pF @ 1000V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
113.6W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
90 毫歐 @ 20A，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
D2PAK-7
封裝/外殼
TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
標準包裝
50

C3M0075120J 技術參數(shù)

C3M0065100K 功能描述:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:SiCFET (Silicon Carbide) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:TO-247-4 供應商器件封裝:TO-247-4L 標準包裝:1 C3M0065100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 標準包裝:50 C3M0065090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標準包裝:800 C3M0065090J 功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標準包裝:50 C3M0065090D 功能描述:MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30.4nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 C3P004.30.02 C3P0206S-A C3P0212S-A C3P0304S-A C3P0406S-A C3P0604S-A C3PES-1006G C3PES-1006M C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M