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參數(shù)資料
| 型號： | BGR269 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | 200 MHz, 35 dB gain reverse amplifier |
| 封裝： | BGR269<SOT115J|<<<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | BGR269 |
BGR269
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 6 — 5 August 2010
4 of 8
NXP Semiconductors
BGR269
200 MHz, 35 dB gain reverse amplifier
6. Package outline
Fig 1.
Package outline SOT115J
UNIT
A2
max.
c
e
e1
q
Q
max.
q1
q2
U2
U1
W
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
20.8
9.5
0.51
0.38
0.25 27.2
2.04
2.54
13.75 2.54 5.08 12.7 8.8
4.15
3.85
2.4
38.1 25.4 10.2 4.2
44.75
44.25
8.2
7.8
0.25
0.1
3.8
b
F
p
6-32
UNC
y
w
0.7
x
S
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT115J
0
5
10 mm
scale
A
max.
D
max.
L
min.
E
max.
Z
max.
Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes;
2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads
SOT115J
D
U1
q
q2
q1
b
F
S
A
Z
p
E
A2
L
c
d
Q
U2
M
w
7
8
9
2
3
W
e
e1
5
p
1
d
x
M
B
y
M
B
B
04-02-04
10-06-18
y
M
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BGY66B | 120 MHz, 25 dB gain reverse amplifier |
| BGY66B | 120 MHz, 25 dB gain reverse amplifier |
| BGY67A | 200 MHz, 24 dB gain reverse amplifier |
| BGY67A | 200 MHz, 24 dB gain reverse amplifier |
| BGY67 | 200 MHz, 22 dB gain reverse amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BGR269,112 | 功能描述:音頻放大器 RF Amp Module Single Gain Amp 200MHz 7Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:General Purpose Audio Amplifiers 輸出類型:Digital 輸出功率: THD + 噪聲: 工作電源電壓:3.3 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TQFP-64 封裝:Reel |
| BGR269112 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BGR-3827 | 制造商:Middle Atlantic Products 功能描述: |
| BGR-3832 | 制造商:Middle Atlantic Products 功能描述: |
| BGR405 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor With Bias Circuitry |
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