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參數(shù)資料
| 型號： | BA1L4Z |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor |
| 中文描述： | 片上NPN硅外延電阻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | BA1L4Z |
MAZTxxxHG Series
SKE00040BED
2
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MAZT062HG
5.8
6.2
6.6
5
0.2
4
50
100
6.2Z
MAZT068HG
6.4
6.8
7.2
5
0.1
4
30
60
6.8Z
MAZT082HG
7.7
8.2
8.7
5
0.1
5
30
60
8.2Z
MAZT100HG
9.4
10.0
10.6
5
0.05
7
30
60
10Z
MAZT120HG
11.4
12.0
12.7
5
0.05
9
30
80
12Z
■ Electrical characteristics within part numbers T
a = 25°C ± 3°C
PD Ta
IZ VZ
IF VF
RZ IZ
SZ IZ
Ct VR
10 3
468
10
12
14
10 2
10 1
1
10
102
Zener voltage V
Z (V)
Zener
current
I
Z
(mA
)
Ta
= 25°C
MAZT100HG
MAZT082HG
MAZT068HG
MAZT062HG
MAZT120HG
0
0200
160
120
80
40
50
100
150
200
250
Ambient temperature T
a (°C)
Power
dissipation
P
D
(mW
)
Print foil
t
= 0.035 mm
K
A
10 mm
0.8 mm
10 mm
10 2
0
0.4
0.8
1.2
10 1
1
10
102
Forward voltage V
F (V)
Forward
current
I
F
(mA
)
Ta
= 25°C
10 1
1
10
102
Zener
operating
resistance
R
Z
(
)
110
102
Zener current I
Z (mA)
Ta
= 25°C
MAZT082HG
MAZT100HG
MAZT068HG
MAZT062HG
MAZT120HG
0
12
10
8
6
4
2
0
1020304050
60
Zener current I
Z (mA)
Temperature
coefficient
of
zener
voltage
S
Z
(mV/
°C
)
Ta
= 25°C to 150°C
MAZT082HG
MAZT068HG
MAZT062HG
MAZT100HG
MAZT120HG
0
10
20
48
12
30
Terminal
capacitance
C
t
(pF
)
Reverse voltage V
R (V)
Ta
= 25°C
MAZT062HG
MAZT082HG
MAZT100HG
MAZT068HG
MAZT120HG
VZ (V)
IR (mA)
RZ (
)RZK ()
IZ
VR
IZ
= 5 mA IZ = 0.5 mA
Min
Nom
Max
(mA)
Max
(V)
Max
Part number
Zener voltage
Marking symbol
Zener
operating
resistance
Reverse current
Zener rise
operating
resistance
Note)
: I
Z
= 1.0 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BA1L4L | NPN SILICON TRANSISTOR |
| BA1L4M | NPN SILICON TRANSISTOR |
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| BA301 | Monolithic IGs |
| BA311 | Monolithic IGs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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