BTS117

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

3/4頁 40條/頁共153條
上一頁 1 2 3 4 下一頁

您是不是要找： BTS117 E3045A BTS117BKSA1 BTS117E3044ANTMA1 BTS117TC BTS117TCBUMA1 BTS118D BTS118DATMA1 BTS120A BTS121AE3045ANTMA1

BTS117 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BTS117 PDF下載

功能描述
電源開關(guān) IC - POE / LAN SMART LOW SIDE PWR SWITCH
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
開關(guān)數(shù)量
Single
開關(guān)配置
SPST
開啟電阻（最大值）
7.3 Ohms
串話
帶寬
開啟時(shí)間（最大值）
13 ns
關(guān)閉時(shí)間（最大值）
20 ns
切換電壓（最大）
工作電源電壓
8 V to 26 V
最大工作溫度
+ 125 C
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220F-6

BTS117 技術(shù)參數(shù)

BTS115ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 7.8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:735pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:P-TO220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS115A 功能描述:Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 0.500" (12.70mm) 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態(tài):有效類型:六角支座有絲/無絲:有螺紋公母:公頭，母頭螺釘，螺紋規(guī)格:#6-32 直徑 - 內(nèi)部:- 直徑 - 外部:0.250"（6.35mm） 1/4" 六角形板間高度:0.500"（12.70mm）1/2" 長(zhǎng)度 - 總:0.750"（19.05mm）3/4" 特性:- 材料:黃銅鍍層:鎳顏色:- 重量:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS113ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:P-TO220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS113AE3064NKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:P-TO220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS113AE3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS121ANKSA1 BTS-125-01-F-D BTS-125-01-F-D-A BTS-125-01-F-D-A-K BTS-125-01-F-D-K BTS-125-01-H-D-A BTS-125-01-H-D-A-K BTS-125-01-L-D BTS-125-01-L-D-A BTS-125-01-L-D-A-K BTS-125-01-L-D-A-TR BTS-125-01-L-D-EM2 BTS-125-01-L-D-K BTS125A BTS130A BTS133 BTS133 E3045A BTS133BKSA1