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BSV52LT1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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BSV52LT1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 100mA 12V Switching NPN
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
BSV52LT1G 技術參數(shù)
  • BSV52LT1 功能描述:TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:3,000 BSV52_D87Z 功能描述:TRANS NPN 12V 0.2A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSV52,215 功能描述:TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:500MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:BSV52 標準包裝:1 BSV52 功能描述:TRANS NPN 12V 0.2A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSV236SPH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):228pF @ 15V 功率 - 最大值:560mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BSW-102-04-L-S BSW-102-04-S-D BSW-102-04-S-D-S BSW-102-04-S-E BSW-102-04-S-M BSW-102-04-S-S BSW-102-04-S-S-S BSW-102-04-T-D BSW-102-04-T-D-S BSW-102-04-T-E BSW-102-04-T-M BSW-102-04-T-S BSW-102-04-T-S-S BSW-102-24-G-D BSW-102-24-G-D-S BSW-102-24-G-E BSW-102-24-G-M BSW-102-24-G-S
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