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BSS80

BSS806N
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3605
Infineon/英飛凌
SOT-23
2232+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

BSS806N H6327
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3806
INFINEON
SOT-23
2229+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

BSS806N
深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
聯(lián)系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

BSS806NH6327XTSA1
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
聯(lián)系人：楊銳鋒
電話：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田區(qū)華強(qiáng)廣場二樓Q2B046
66000
INFINEON
-
高品質(zhì)！價(jià)格美麗！

BSS806N H6327
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原裝正品

BSS806NH6327
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯(lián)系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號(hào) 富源商貿(mào)中心D棟601
69000
INF
ORIGONAL
16+
-
0.04012 USD,szpoweri...

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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
PNP Silicon Switching Transistors

BSS80 技術(shù)參數(shù)

BSS79C 功能描述:TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS7728NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS7728NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS7728NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS7728N 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115