BUK9611-55A,118

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

BUK9611-55A,118
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
D2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 55V 75A ...

BUK9611-55A,118
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
NXP
N/A
22+
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

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功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUK9611-55A,118 技術(shù)參數(shù)

BUK9610-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:68nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4307pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9610-100B,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:86nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:11045pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9609-75A,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8840pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9609-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:60nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4633pF @ 25V 功率 - 最大值:211W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9609-40B,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:157W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK96180-100A,118 BUK9618-55A,118 BUK961R4-30E,118 BUK961R5-30E,118 BUK961R6-40E,118 BUK961R7-40E,118 BUK9620-100A,118 BUK9620-100B,118 BUK9620-55A,118 BUK9623-75A,118 BUK9624-55A,118 BUK9628-100A,118 BUK9628-55A,118 BUK9629-100B,118 BUK962R1-40E,118 BUK962R5-60E,118 BUK962R6-40E,118 BUK962R8-30B,118