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BUK7C1R8-60EJ

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BUK7C1R8-60EJ
    BUK7C1R8-60EJ

    BUK7C1R8-60EJ

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • NXP/恩智浦

  • D2PAK-7

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • BUK7C1R8-60EJ
    BUK7C1R8-60EJ

    BUK7C1R8-60EJ

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NXP/恩智浦

  • SOT427

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • BUK7C1R8-60EJ
    BUK7C1R8-60EJ

    BUK7C1R8-60EJ

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • D2PAK-7

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨!

  • BUK7C1R8-60EJ
    BUK7C1R8-60EJ

    BUK7C1R8-60EJ

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
BUK7C1R8-60EJ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7
BUK7C1R8-60EJ 技術(shù)參數(shù)
  • BUK7C1R4-40EJ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 BUK7C1R2-40EJ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 BUK7C10-75AITE,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):121nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4700pF @ 25V FET 功能:電流感測 功率耗散(最大值):272W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片),TO-263CB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7C08-55AITE,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:電流感測 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):116nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4200pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 BUK7C06-40AITE,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4300pF @ 25V FET 功能:電流感測 功率耗散(最大值):272W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片),TO-263CB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7E13-60E,127 BUK7E1R6-30E,127 BUK7E1R8-40E,127 BUK7E1R9-40E,127 BUK7E2R3-40C,127 BUK7E2R3-40E,127 BUK7E2R6-60E,127 BUK7E2R7-30B,127 BUK7E3R1-40E,127 BUK7E3R5-60E,127 BUK7E4R0-80E,127 BUK7E4R3-75C,127 BUK7E4R6-60E,127 BUK7E5R2-100E,127 BUK7E8R3-40E,127 BUK7J1R4-40HX BUK7K12-60EX BUK7K134-100EX
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