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BTS302E3040

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BTS302E3040 技術參數

BTS3028SDRATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:HITFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC SW SMART LOW SIDE TO252-3-11 BTS3028SDLATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Power Switch Lo Side 5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:HITFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC SWITCH SMART LOWSIDE TO252-3 BTS3018TCATMA1 功能描述:IC PWR LOAD SWITCH 60V 制造商:infineon technologies 系列:HITFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效開關類型:通用輸出數:1 比率 - 輸入:輸出:1:1 輸出配置:低端輸出類型:N 通道接口:開/關電壓 - 負載:60V（最大）電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:不需要電流 - 輸出（最大值）:6A 導通電阻（典型值）:18 毫歐輸入類型:非反相特性:- 故障保護:限流（固定），超溫，過壓工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:PG-TO263-3-2 標準包裝:1 BTS282ZE3230AKSA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-7 供應商器件封裝:PG-TO220-7 標準包裝:500 BTS282ZE3180AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V FET 功能:溫度保護功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應商器件封裝:PG-TO263-7-1 標準包裝:1 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1 BTS3134D BTS3134DATMA1 BTS3134NHUMA1 BTS3134NNT BTS3142DATMA1