BTS282Z E3230

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封裝
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說明
操作

BTS282Z E3230
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BTS282Z E3230
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-TO220-7-230
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

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功能描述
MOSFET TEMPFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BTS282Z E3230 技術(shù)參數(shù)

BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-7-180 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BTS247ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS247ZE3043AKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-5 供應(yīng)商器件封裝:P-TO220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS247ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-5 成形引線供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS247Z E3062A 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS3046SDRATMA1 BTS3050EJXUMA1 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1