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BSS-016-01-L-D-DP-EM2

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  • 型號(hào)
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BSS-016-01-L-D-DP-EM2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL
  • 制造商
  • samtec inc.
  • 系列
  • BSS
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 連接器類型
  • 差分對(duì)陣列，母
  • 針腳數(shù)
  • 32
  • 間距
  • 0.025"（0.64mm）
  • 排數(shù)
  • 2
  • 安裝類型
  • 板邊緣，跨騎式安裝
  • 特性
  • -
  • 觸頭鍍層
  • 金
  • 觸頭鍍層厚度
  • 10μin（0.25μm）
  • 接合堆疊高度
  • -
  • 板上高度
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
BSS-016-01-L-D-DP-EM2 技術(shù)參數(shù)
  • BSS-016-01-H-D-DP-EM2 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 連接器類型:差分對(duì)陣列，母 針腳數(shù):32 間距:0.025"（0.64mm） 排數(shù):2 安裝類型:板邊緣，跨騎式安裝 特性:- 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:30μin（0.76μm） 接合堆疊高度:- 板上高度:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS-016-01-F-D-DP-EM2 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 連接器類型:差分對(duì)陣列，母 針腳數(shù):32 間距:0.025"（0.64mm） 排數(shù):2 安裝類型:板邊緣，跨騎式安裝 特性:- 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:3μin（0.08μm） 接合堆疊高度:- 板上高度:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSR92PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:140mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 歐姆 @ 140mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:109pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSR92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:140mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 歐姆 @ 140mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:109pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSR802NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.7A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.7nC @ 2.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1447pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 3.7A，2.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-59 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2 BSS-034-01-L-D-DP-EM2 BSS-050-01-C-D-A BSS-050-01-F-D BSS-050-01-F-D-A BSS-050-01-F-D-A-TR BSS-050-01-F-D-DP-EM2 BSS-050-01-F-D-TR BSS-050-01-H-D
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