BSPD0180DINL

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSPD0180DINL
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
Eaton
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共1條
1

您是不是要找： BSPD12DING BSPD24DING BSPD24DINLHF BSPD48DING BSPD48RJ45 BSPD5BNCDD BSPD5BNCDI BSPD5BNCSI BSPD5DING

BSPD0180DINL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

BSPD0180DINL PDF下載

功能描述
0-180V DATA SIGNAL DIN RAIL L -
制造商
eaton
系列
*
零件狀態(tài)
有效
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

BSPD0180DINL 技術(shù)參數(shù)

BSPCM 功能描述:SNAP 9V MALE PC MOUNT 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效電池類型，功能:9V，卡入式觸點（單）樣式:觸點，卡入式（負(fù)極）電池尺寸:9V 電池數(shù):- 電池系列:- 安裝類型:PCB，通孔端子類型:PC 引腳板上高度:0.380"（9.64mm）工作溫度:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BSPCF 功能描述:SNAP 9V FEMALE PC MOUNT 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效電池類型，功能:9V，卡入式觸點（單）樣式:觸點，卡入式（正極）電池尺寸:9V 電池數(shù):- 電池系列:- 安裝類型:PCB，通孔端子類型:PC 引腳板上高度:0.380"（9.64mm）工作溫度:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BSP92PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP92P E6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSPD5DINLHF BSPG1230WE BSPG1230WER BSPG1255NPE BSPG1255NPER BSPH2230WE BSPH2230WER BSPH2275TT BSPH2275TTR BSPH2600PV BSPH2600PVR BSPH2A150D150LV BSPH2A150D150LVR BSPH2A230D230LV BSPH2A230D230LVR BSPH2A24D24LV BSPH2A24D24LVR BSPH2A48D48LV