BSP 60 E6433

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功能描述
TRANSISTOR DARL PNP 45V SOT-223
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路
系列
-
標準包裝
1
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
1A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
30V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
200mV @ 100mA，1A
電流 - 集電極截止（最大）
100nA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
300 @ 500mA，5V
功率 - 最大
710mW
頻率 - 轉換
100MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
MMBT489LT1GOSDKR

BSP 60 E6433 技術參數(shù)

BSP 52 E6327 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP 51 E6327 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSO615NGHUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 2.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 基本零件編號:BSO615 標準包裝:1 BSO615N G 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 2.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO615N 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 2.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135 BSP129E6327 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1 BSP129L6327HTSA1 BSP129L6906HTSA1 BSP130,115 BSP135 E6327 BSP135 E6906 BSP135H6327XTSA1 BSP135H6433XTMA1 BSP135H6906XTSA1 BSP135L6327HTSA1