BSO080P03NS3GXUMA1

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操作

BSO080P03NS3GXUMA1
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
TY/臺灣半導體
SOP8
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

BSO080P03NS3GXUMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-DSO-8
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BSO080P03NS3GXUMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET P-CH 30V 14.8A 8-Pin DSO
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
P-KANAL - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

BSO080P03NS3GXUMA1 技術參數(shù)

BSO080P03NS3EGXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 14.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6750pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO072N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 45μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3230pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO065N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO064N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.4 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3620pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO052N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 70μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5530pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SNTMA1 BSO150N03 BSO150N03MD G BSO150N03MDGXUMA1 BSO200N03 BSO200N03S BSO200P03SHXUMA1 BSO200P03SNTMA1 BSO201SP H BSO201SPHXUMA1 BSO201SPNTMA1 BSO203PHXUMA1 BSO203PNTMA1 BSO203SP H BSO203SPHXUMA1 BSO203SPNTMA1