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BFR31LT1G

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  • BFR31LT1G
    BFR31LT1G

    BFR31LT1G

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業(yè)執(zhí)照

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  • 功能描述
  • JFET 25V 10mA
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss)
  • 50 mA
  • 漏源電壓 VDS
  • 15 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續(xù)電流
  • 50 mA
  • 配置
  • 安裝風格
  • 封裝 / 箱體
  • SC-59
  • 封裝
  • Reel
BFR31LT1G 技術參數
  • BFR31LT1 功能描述:JFET N-Channel 1mA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2.5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 功率 - 最大值:225mW 標準包裝:3,000 BFR31,235 功能描述:JFET N-Channel 1mA @ 10V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2.5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:10,000 BFR31,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2.5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BFR30LT1G 功能描述:JFET N-Channel 4mA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):4mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 功率 - 最大值:225mW 標準包裝:3,000 BFR30LT1 功能描述:JFET N-Channel 4mA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):4mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 功率 - 最大值:225mW 標準包裝:3,000 BFR380L3E6327XTMA1 BFR460L3E6327XTMA1 BFR505,215 BFR505T,115 BFR520,215 BFR520,235 BFR520T,115 BFR540,215 BFR540,235 BFR720L3RHE6327XTSA1 BFR740EL3E6829XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR750L3RHE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 BFR92A,215 BFR92A,235 BFR92ALT1
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