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BF959RL1G

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  • 型號
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  • 廠商
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  • 說明
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  • BF959RL1G
    BF959RL1G

    BF959RL1G

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • ON

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • BF959RL1G
    BF959RL1G

    BF959RL1G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON

  • 06+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • BF959RL1G
    BF959RL1G

    BF959RL1G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ONSemicon

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 100mA 20V VHF NPN
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
BF959RL1G 技術(shù)參數(shù)
  • BF959RL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF959G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BF959 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BF909WR,135 功能描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 800MHz CMPAK-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:N 通道雙門 頻率:800MHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:40mA 噪聲系數(shù):2dB 電流 - 測試:15mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:7V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:10,000 BF909WR,115 功能描述:MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:N 通道雙門 頻率:800MHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:40mA 噪聲系數(shù):2dB 電流 - 測試:15mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:7V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:1 BF998E6327HTSA1 BF998R,215 BF998R,235 BF998RE6327HTSA1 BF998WR,115 BF999E6327HTSA1 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS
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