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BF494_D74Z

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功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

BF494_D74Z 技術參數

BF494_D27Z 功能描述:RF Transistor NPN 20V 30mA 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:67 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF494 功能描述:RF Transistor NPN 20V 30mA 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:67 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF493SG 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BF493S 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 B-F446E-96B01A 功能描述:SENSOR BOARD WITH STM32F446VET6 制造商:stmicroelectronics 系列:- 零件狀態(tài):在售平臺:96Boards 類型:傳感器功能:多重使用的 IC/零件:STM32F446 內容:板標準包裝:1 BF-50.000MCE-T BF5020WE6327HTSA1 BF5020WH6327XTSA1 BF5030WE6327HTSA1 BF5030WH6327XTSA1 BF510,215 BF511,215 BF5118-20B BF512,215 BF512,235 BF513,215 BF5165-20B BF517E6327HTSA1 BF5200-20B BF-541A/B BF-541A/KOEM BF545A,215 BF545B,215